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X-선 광전자분광기
X-선 광전자분광기
기기 설명
장비명(약어) X-ray Photoelectron Spectrometer (XPS)
모델명 K-Alpha+
브랜드 Theromo Fhisher Scientific Messtechnik
위치 퓨전테크센터(FTC) 208호
담당자 김우중 kwjike@hanyang.ac.kr
담당자 전화번호 02-2220-1778
기기상태 운영중
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원리와 특징

XPS는 시료의 표면에 특성 X-선을 입사하여, 표면으로부터 100Å의 깊이에서 방출하는 광전자의 에너지를 측정함으로써

시료 표면의 조성 및 화학적인 결합상태를 알 수 있다. 에너지원으로 X-선이 사용되어 절연체에 적용이 가능함으로

도체 및 반도체 및 절연박막의 분석에 큰 장점을 가지고 있다. 또한 이온빔으로 표면을 식각하여 깊이에 대한 분포도를 측정할 수 있으며,

XPS IMAGE 기능은 원소의 분포상태를 보여준다.



시료 표면의 상 전이에 따른 전자 구조의 변화
재배열 원자들의 전하분포 및 결합 에너지 변화
기체 및 금속이 흡착된 반도체와 금속표면에서의 반응성 및 결합 상태에 따른 전자구조
자성체 초 박막 및 에피 박막의 전자에너지
Sub-micron 이하의 국소 영역의 성분 분석
Depth profile을 통한 박막의 성장 메커니즘 규명
표면의 원소에 대한 정량 분석
반도체, Display, 이차전지, solar cell, paint, Glass, metal, filber, ceramic, bio-material, carbon, coating, 촉매, 부식 등 다양한 분야 응용

사양

1. Analyzer

1) 180° double focusing hemispherical analyzer

2) High-efficiency electron transfer lens

3) 128-channel detector

 

2. X-Ray Source

1) Al Ka micro-focused monochromator

2) Variable spot size (30–400μm in 5μm steps)

3) High-performance with low power (maximum 72W)

 

3. Charge Compensation

1) Dual-beam source

2) Ultra-low energy co-axial electron and Ar+ ion beam

 

4. Ion Gun

1) Energy range 100eV to 4keV

 

5. Sample Handling

1) 4-axis sample stage

2) 60 × 60 mm sample area

3) 20 mm maximum sample thickness

 

6. Vaccum System

1) UHV 5 X 10-9mbar

 

7. Charge Neutralisation

1) Combined Low Energy Electron / Ion flood source

 

8. Analysis Application

1) 미소영역분석

2) Angle Resolved XPS

3) Depth profiling

4) XPS Image